После того, как Вы создали модель полевого транзистора, то бишь SPICE модель, необходимо проверить ее вольт-амперные (ВАХ) и пр. характеристики. Для этого используем следующие ГОСТы:
1. ГОСТ 20398.7-74
Метод измерения порогового напряжения и напряжения отсечки.
Field-effect transistors. Threshold and cut-off voltage measurement technique
- АППАРАТУРА
1.1. Измерительные установки, предназначенные для измерения порогового напряжения и напряжения отсечки , должны обеспечивать основную погрешность измерения в пределах ±5%, а при токах менее 0,1 мкА в пределах ±15% от конечного значения рабочей части шкалы.
- ПОДГОТОВКА К ИЗМЕРЕНИЮ
2.1. Принципиальная схема измерения порогового напряжения и напряжения отсечки должна соответствовать указанной на чертеже.
2.2. Основные элементы, входящие в схему, должны удовлетворять следующим требованиям, указанным ниже.
2.2.1. Падение напряжения на внутреннем сопротивлении измерителя не должно превышать ±5% от показаний прибора V .
Если это условие не выполняется, необходимо увеличивать напряжение источника в цепи стока на значение, равное падению напряжения на внутреннем сопротивлении измерителя A ;
-V измеритель напряжения;
-ИП измеритель напряжения, обеспечивающий заданную погрешность измерения порогового напряжения либо напряжения отсечки Uзи.отс.
2.3. Точность установки тока стока не должна превышать ±10% от конечного значения рабочей части шкалы прибора, если это значение не менее 0,1 мкА и не более ±15% от конечного значения рабочей части шкалы, если это значение менее 0,1 мкА.
3. ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЯ
3.1. Измерения производят в следующем порядке.
Транзистор включают в схему и устанавливают режим по постоянному току.
Значения напряжения Uзи.пор. или Uзи.отс. , представляющее собой напряжение затвор-исток, при котором достигается требуемый ток стока, отсчитывают по шкале измерителя .
2. ГОСТ 20398.8-74
Метод измерения начального тока стока
Field-effect transistors. Drain current for Vgs=0 0 measurement technique
- АППАРАТУРА
1.1. Измерительные установки, предназначенные для измерения начального тока стока , должны обеспечивать основную погрешность измерения в пределах ±5%, а при токах менее 0,1 мкА в пределах ±15% от конечного значения рабочей части шкалы.
- ПОДГОТОВКА К ИЗМЕРЕНИЮ
2.1. Принципиальная электрическая схема измерения начального тока стока должна соответствовать указанной на чертеже.
2.2. Основные элементы, входящие в схему, должны соответствовать следующим требованиям, указанным ниже.
2.2.1. Падение напряжения на внутреннем сопротивлении ИП не должно превышать 5% от показания прибора при токах до 10 мкА и 1,5% от показания прибора V при больших токах. Если это условие не выполняется, то необходимо увеличить напряжение источника постоянного тока на значение, равное падению напряжения на внутреннем сопротивлении ИП.
Измеритель тока должен обеспечивать заданную точность измерения тока Iс.нач.
- ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЯ
3.1. Измерения проводят в следующем порядке.
Транзистор включают в схему и устанавливают напряжение на стоке, значение которого должно соответствовать указанному в стандартах на транзисторы конкретных типов.
Значение Iс.нач. отсчитывают на шкале ИП.
ГОСТ 20398.13-80
Метод измерения сопротивления сток-исток
Field-effect transistors. Drain source resistance measurement technique
- ПРИНЦИП И УСЛОВИЯ ИЗМЕРЕНИЯ
1.1. Измерение заключается в определении сопротивления между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток, меньшем напряжения насыщения, и заданном напряжении на затворе.
1.2. Электрический режим транзистора (напряжение на стоке, напряжение на затворе) и условия измерения указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.
2. АППАРАТУРА
2.1. Сопротивление сток-исток в открытом состоянии транзистора следует измерять на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт.1 или 2.
2.2. Сопротивление резистора R (черт.1) должно не менее чем в 100 раз превосходить сопротивление сток-исток измеряемого транзистора.
2.3. Допускаемое отклонение сопротивления резисторов магазина сопротивлений R1 (черт.2) должно находиться в пределах ±1%.
2.4. Допускаемое отклонение сопротивления резисторов R2 и R3 (черт.2) должно находиться в пределах ±1%.
2.5. Напряжение источника стока G2 при отключенном транзисторе не должно превышать максимально допустимое, указанное в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.
Напряжение на стоке включенного транзистора не должно превышать 1 В.
- ПОДГОТОВКА И ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЙ
3.1. Измерение сопротивления Rси.отк. в схеме черт.1 производят в следующем порядке.
3.1.1. Измеряемый транзистор включают в схему черт.1 и задают режим по постоянному току.
3.1.2. Значение напряжения U определяют по прибору PV2, значение тока Ia по прибору PA .
3.2. Измерение сопротивления Rси.отк. в схеме черт.2 производят в следующем порядке.
3.2.1. Измеряемый транзистор включают в схему и в положении 1 переключателя S задают режим по постоянному току.
3.2.2. Переключатель ставят в положение 2 и подбором резисторов R1 устанавливают нуль на приборе P .
- ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ
4.1. Сопротивление в схеме черт.1 рассчитывают по формуле
Rси.отк.=U/Ia
Если значение Ia фиксировано, то значение Rси.отк. пропорционально U и вольтметр PV2 может быть проградуирован в единицах сопротивления.
4.2. В схеме черт.2 сопротивление Rси.отк. определяют из соотношения
Rси.отк.=R1,0*(R3/R2)
где — R1,0 значение резистора R1 при нулевом положении индикатора P.
- ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ
5.1. Основная погрешность измерительных установок со стрелочными приборами должна быть в пределах ±5% для сопротивлений Rси.отк≥ 10 Ом и ±10% для сопротивлений Rси.отк≤ 10 Ом.
5.2. Основная погрешность измерительных установок с цифровым отсчетом должна быть в пределах±(4+0.9*(Rпред/Rx)) % для сопротивлений Rси.отк≥10 Ом и ±(8+1.7*(Rпред/Rx)) % для сопротивлений Rси.отк≤ 10 Ом,
где Rx- измеряемое сопротивление;
Rпред- конечное значение установленного предела измерения.